מספר מוצר של יצרן:
BUZ73A H
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BUZ73A H-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12802527
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BUZ73A H מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
530 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000683004
BUZ73A H-DG
BUZ73AHXKSA1
BUZ73AH
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFI630GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1686
DiGi מספר חלק
IRFI630GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.16
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRFS8408-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRF8010STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
BSB056N10NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
